因为蓝宝石基板的导热系数差,影响LED的发光功率。为了处置LED的散热难题,将来有可能将首要选用笔直布局LED的架构,促进LED工业的技能发展。关于笔直布局LED技能信任咱们都有所耳闻,下面仅从技能表层进行介绍,谨供参阅。
咱们晓得,LED芯片有两种根本布局,横向布局(Lateral)和笔直布局(Vertical)。横向布局LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧,电流在n-和p-类型约束层中横向活动不等的间隔。笔直布局的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两边,因为图形化电极和悉数的p-类型约束层作为第二电极,使得电流简直悉数笔直流过LED外延层,很少横向活动的电流,能够改进平面布局的电流散布疑问,进步发光功率,也能够处置P极的遮光疑问,进步LED的发光面积。
咱们先来知道下笔直布局LED的制作技能与根本办法:
制作笔直布局LED芯片技能首要有三种办法:
一、选用碳化硅基板成长GaN薄膜,长处是在一样操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。
二、使用芯片黏合及剥离技能制作。长处是光衰少、寿命长,不足处是须对LED表面进行处置以进步发光功率。
三、是选用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层,长处是散热好、易加工。
不剥离导电砷化镓成长衬底:在导电砷化镓成长衬底上层迭导电DBR反射层,成长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。
剥离砷化镓成长衬底:层迭反射层在GaP基LED外延层上,键合导电撑持衬底,剥离砷化镓衬底。导电撑持衬底包含,砷化镓衬底,磷化镓衬底,硅衬底,金属及合金等。
别的,成长在硅片上的笔直GaN基LED也有两种布局:
剥离硅成长衬底:层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上,在金属反射层上键合导电撑持衬底,剥离硅成长衬底。
再简略阐明制作笔直氮化镓基 LED 技术流程:层迭反射层在氮化镓基 LED 外延层上,在反射层上键合导电撑持衬底,剥离蓝宝石成长衬底。导电撑持衬底包含,金属及合金衬底,硅衬底等。
无论是GaP基LED、GaN基LED,仍是ZnO基LED这一类通孔笔直布局LED,比较传统布局LED有着较大的优势,具体表现在
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1、当前,现有的所有色彩的笔直布局LED:红光LED、绿光LED、蓝光LED及紫外光LED,都能够制成通孔笔直布局LED有极大的使用商场。
2、所有的制作技术都是在芯片( wafer )水平进行的。
3、因为无需打金线与外界电源相联合,选用通孔笔直布局的 LED 芯片的封装的厚度降低。因而,能够用于制作超薄型的器材,如背光源等。
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