生长LED有机层的晶圆制程方法有气相晶圆(VPE)、液相晶圆(LPE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)、分子束晶圆
(MBE)。它们生长LED有机层的材料分别有气相晶圆CaAsp、GaP,液相晶圆GaP,GaAlAs,金属有机物化学气相淀积
InGaAlP、InCaN,分子束晶圆ZnSe等。
液相晶圆已能一炉生长60-100片,生产效率较高,通过稼的重复使用成本也已降得很低,可用以制造高亮度GaP绿色发光器
件和一般亮度的GaP红色发光器件,也可用它制造超高亮度GaAlAs发光器件。
金属有机化学气相淀积法(MOCVD)是目前生产超高亮度InCaN蓝、绿色LED和InCaAIP红、黄色LED的主要方法,它既能精
确控制生长厚度,又能精密控制晶圆层的组成。可用此法生长超高亮度LED结构中所需要的量子阱阶层和DBR反射结构种的20个
左右的周期层,也适用于大量生产,是目前生产超高亮度LED的主要方法。
分子束晶圆目前主要用于研制ZnSe白色发光二极管,效果很好,能生长小于10A的晶圆层,确定是生长数度较慢,每小时约
1mm,装片容量也颇少,生产效率较低。